型号: | SUD50N06-07L-GE3 | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Vishay Siliconix | 描述: | MOSFET N-CH 60V DPAK |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 96A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.4 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 144nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5800pF @ 25V |
功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252,(D-Pak) |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SUD50N06-07L-GE3CT |